Si3n4 substrāts
Si3n4 substrāts

Si3n4 substrāts

Vienums: si3n4 substrāts
Materiāls: Si3n4
Izmērs: 19 0*140*0,32 mm, pielāgots
Forma: pielāgota
Process: izostatiska presēšana, augsta temperatūras saķepināšana, karsta izostatiska presēšana, precīza apstrāde, virsmas pulēšana
Nosūtīt pieprasījumu
Tērzēšana tūlīt
Produktu apraksts
Si3N4-Ceramic-Substrate

Pamatinformācija

 

SI3N4 substrātiem ir augsta izturība, augsta siltumvadītspēja, izturība pret augstu temperatūru, augsta izturība pret nodilumu, izturība pret oksidāciju, zema termiskās izplešanās koeficients un termiskā trieciena izturība. Tajā pašā laikā viņiem ir laba gaisa necaurlaidība. Viņi var izolēt ūdens tvaikus, skābekli un putekļus, padarot tos par labāko materiālu lieljaudas pusvadītāju ierīces substrātiem un plaši izmantojamās ķēdēs.

 

Chipnano uzlabotie materiāli piedāvā dažādus silīcija nitrīda keramikas izstrādājumus, ieskaitot SI3N4 substrātus, caurules, loksnes, stieņus, šķīvjus, gredzenus, krustveida materiālus, pielāgotas detaļas utt.

Silīcija nitrīda substrāta īpašības

-Augstas temperatūras pretestība

Silīcija nitrīda keramikas substrāti ir ārkārtīgi izturīgi pret augstām temperatūrām, un to izturību var uzturēt augstā temperatūrā - 1200 grādos, nesamazinoties. Pat karsējot, silīcija nitrīda keramikas substrāti neizkausēsies, un tie nesāks sadalīties, kamēr temperatūra sasniegs 1900 grādus.

-Mehāniskais spēks

Silīcija nitrīda keramikas substrātiem ir augsta mehāniskā izturība, un to lieces stiprība var sasniegt 800MPA. Tas padara silīcija nitrīda keramikas substrātus stabilus situācijās, kad tie tiek pakļauti lieliem mehāniskiem spriegumiem, piemēram, krustveida, mupiņu krāsnīm un citām metalurģijas rūpniecības daļām, kā arī ātrgaitas pagrieziena instrumentiem un gultņiem mehāniskajā rūpniecībā.

-Silicon nitrīda substrātiem ir vairāk nekā divas reizes lielāks par alumīnija nitrīda un alumīnija oksīda substrātu liekšanas izturību

-Vairāk nekā trīs reizes vairāk nekā alumīnija oksīda un ZTA substrātu siltumvadītspēja

-Augstas izolācijas un termiskās izplešanās koeficienta koeficienta, kas atbilst SI

-Ekšīgi redzama termiskā trieciena pretestība un augsta izturība

 

Silicon-Nitride-Si3n4-Ceramic Substrate
Specifikācija

Silīcija nitrīda keramikas substrāta specifikācijas

Produkts

Si3n4 substrāts

Materiāls

Si3n4

Ierakstīt

pielāgots

Process

Izostatiska presēšana, augsta temperatūras saķepināšana, karsta izostatiska presēšana, precīza apstrāde, virsmas pulēšana

Virsmas nelīdzenums

Ra 0. 6um

 

Si3n4 substrāta izmēri

L x W x T

5 0. 8x50.8x0.32mm

14 0 x190x0.5mm

Substrāta lielumu var pielāgot

Si3N4 Substrate
Lietojumprogrammas un iesaiņošana

 

Pieteikumi

Silīcija nitrīdu keramikas substrātus plaši izmanto pusvadītājos, aviācijā, atomenerģijā un citās nozarēs, pateicoties to lieliskajai izolācijai un augstas temperatūras īpašībām, piemēram, ražošanas slēdžu ķēdes substrātiem, plēves kondensatoriem, radara antenas pārsegiem utt. Tajā pašā laikā ir arī piemēroti gadījumiem, kas prasa noteiktu siltuma izdalīšanos un mehānisko izturību.

 

Iesaiņošana

SI3N4 substrāti ir trausli un ar tiem jārīkojas uzmanīgi. Standarta preču iesaiņojums ir koka kastes, lai aizsargātu materiālu iekraušanas, izkraušanas un pārvadāšanas laikā. Kartona tiek izmantota arī maziem keramikas izstrādājumiem.

Si3N4 Substrate

 

  • Silicon Nitride Rods
    Si3n3 keramikas stieņi
  • Si3N4 Rod Packing
    Si3n4 stieņu iepakojums
  • Silicon Carbide Rod
    Silīcija karbīda stienis
  • Si3N4 Ceramic Rods
    Si3n4 keramikas stieņi

 

 

Populāri tagi: SI3N4 substrāts, Ķīna SI3N4 substrātu ražotāji, piegādātāji, rūpnīca